K4A4G165WG-BCWE vs MT41K64M16TW-107 AUT:J 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A4G165WG-BCWE 제조: Samsung Electronics 및 MT41K64M16TW-107 AUT:J 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT41K64M16TW-107 AUT:J - 1Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K64M16TW-107 AUT:J ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4A4G165WG-BCWE | MT41K64M16TW-107 AUT:J |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $16.90 | $2.85 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | SDRAM - DDR3L |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | 1 Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps | 1866 MT/s (DDR3L-1866) |
| Access Time | 19 ns | 20 ns |
| 공급 전압 | 1.2 V | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible |
| 동작 온도 | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 패키지 | FBGA-96 | 96-FBGA (8 x 14 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR4 | — |
| Product Status | Active | — |
| RoHS 상태 | Compliant (per JLCPCB listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] | 933 MHz |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval] | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| 메모리 구성 | — | 64M x 16 |
| Temperature Grade | — | AUT (automotive) |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| Packaging | — | Tray (T/R per listing) |